Các tác giả gồm PGS.TS Phạm Kim Ngọc, ThS Phạm Phú Quân - Trường ĐH Khoa học tự nhiên), GS.TS Phan Bách Thắng - Trường ĐH Khoa học Sức khoẻ (ĐH Quốc gia TPHCM) và PGS.TS Nguyễn Trần Thuật - Viện Bán dẫn và Vật liệu Tiên tiến (ĐH Quốc gia Hà Nội).

Bằng sáng chế Memristor Structures with Analog Switching Characteristics and Method for Fabricating the Same được USPTO cấp ngày 30/6/2026.

4 nhà khoa học Việt Nam được cấp bằng sáng chế của Mỹ

Điểm đột phá của công trình là phát triển nền tảng vật liệu oxit crom (CrOₓ), thay vì các vật liệu phổ biến như TiO₂, HfOₓ hay TaOₓ. Nền tảng này có thể kết hợp linh hoạt với nhiều lớp oxit và điện cực kim loại để tạo ra các thế hệ memristor mới.

Theo nhóm nghiên cứu, công nghệ cho phép phát triển các linh kiện lưu trữ đa trạng thái, hoạt động phi tuyến, tạo nền tảng xây dựng khớp thần kinh nhân tạo cho các hệ thống tính toán mô phỏng não người.

Bằng sáng chế cũng đề xuất kiến trúc mảng memristor tích hợp, trong đó mỗi linh kiện vừa lưu trữ vừa xử lý dữ liệu ngay tại chỗ, thay vì liên tục truyền dữ liệu giữa bộ nhớ và bộ xử lý. Cách tiếp cận này mở đường cho các chip In-Memory Computing và Neuromorphic Computing, giúp AI xử lý nhanh hơn, tiết kiệm năng lượng hơn.

Bằng sáng chế là kết quả của nhiều năm nghiên cứu, đồng thời khẳng định năng lực nghiên cứu bán dẫn của các nhà khoa học Việt Nam trên trường quốc tế.

Theo Lê Huyền (VietNamNet)
Xem bài viết gốc tại đây